三星电子(Samsung Electronics Co.)周二(5月14日)宣布，将在2021年推出3纳米制程技术，进度超越台积电(2330)与英特尔(Intel Corp.)。
根据新闻稿 ，三星晶圆制造部总裁ES Jung (见图) 14日在加州Santa Clara市举办的晶圆制造论坛(Samsung Foundry Forum)上表示，3奈米的闸极全环(gate all around，简称GAA)制程技术将在2021年问世，不但运算效能较7奈米提升35%、还可节省50%电力，晶片面积则缩小45%。
三星表示，3奈米GAA制程技术(3GAE)的研发完全依照进度，PDK (Process Design Kit) 0.1版已在4月释出，可协助顾客提前展开设计作业，以便提升设计竞争力、降低备货时间。
另一方面，三星预定今(2019)年下半年量产6奈米制程装置，同时完成4奈米制程的研发作业。5奈米FinFET制程的产品设计已在4月开始研发，预计今年下半年完成、2020年上半年量产。
CNET 14日报导，顾问机构International Business Strategies执行长Handel Jones说，三星的GAA技术领先台积电约12个月，英特尔则大概落后三星2~3年。
三星晶圆制造事业行销副总裁Ryan Lee 14日表示，GAA代表三星的晶圆制造进入全新纪元。他说，第一款3奈米制程晶片，是为智慧型手机等行动装置设计，预计2020年开始测试、2021年量产。更加精细的高效能晶片，例如绘图处理器、打包进资料中心的人工智慧(AI)晶片等，则会在2020年量产。
Lee并表示，GAA可让三星把电路微缩至3奈米，加以改进后、甚至可把制程技术进化至2奈米与1奈米。